微電網（光儲充一體）把充電、儲能和光伏系統做整合，形成當前熱度很高的光儲充一體化系統。以傳統的NPC1拓撲為例說明，如果用650V的CoolSiC? MOSFET替換傳統的IGBT作對比，在70kHz的情況下，效率提升了1.3%。
SiC的如下性能優勢：
1、從現在基于Si的器件轉化到基于SiC的系統，能大幅提升效率;
2、SiC MOS的體積較小，進一步提升了功率密度;
3、SiC MOS非常靈活，其pin腳或者使用方法都可以跟基于Si的系統做到無縫連接;
4、它的Scalability非常好，從650V，1200V，1700V都有。
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